• 市场方案
  • 技术解决方案
  • 设计和服务
  • 新闻和活动
  • 技术资料和文档
  • 关于我们
  • 更多

公司博客

FD-SOI:破坏的推动者

  • 作者: Communications
  • April 21, 2016
  • 类别: 技术

多年来,对于FD-SOI技术的蓬勃发展,Dan Hutcheson一直保持着旁观的态度。“我一直很安静,因为我一直不太关心成本的问题。分析公司VLSI Research的首席执行官兼董事长Hutcheson表示:“我从来没有想过这个观念会被几个掩膜层所动摇。“但是在去年,当我在格芯看到22FDX®时,我第一次看到一些改变游戏规则的功能。在五年前,功耗并不重要,但是现在的世界是一个注重功耗的世界。目前的设计人员更加注重功耗,而不完全是性能表现。FD-SOI提供的实时的功耗平衡功能,这非常令人激动。

Hutcheson希望能验证为他对FD-SOI日益增长的兴趣,所以在格芯的帮助下,他开始对芯片设计生态系统中的关键影响因素和决策者进行调查。在下面的视频中,Hutcheson介绍了他在深度访谈中的一些主要发现,他向与会者介绍了FD-SOI设计的一些关键技术以及设计FD-SOI的原因。同时,也介绍了技术如何与FinFET产品配合,及其他重要问题,诸如:“FD-SOI是否真的具有破坏性,或者仅仅是另一个制程?”

答案是: “没有。这不是破坏性的,但它是破坏性的推动者” Hutcheson总结说, “物联网(IoT)是最具破坏力的力量,它将像智能手机一样具有破坏性。我相信FD-SOI技术将成为这种破坏的关键推动因素。”

要查看Dan Hutcheson的FD-SOI演示文稿,请点击此处

回到顶部

上一篇文章

下一篇文章