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公司博客

22FDX®,物联网的新机遇?

  • 作者: Communications
  • January 18, 2016
  • 类别: 技术

毫无疑问,物联网将成为微电子领域的下一个主要应用。基于物联网发展的远景规划,到2020年将有500亿物联网设备用于连接。

物联网系统将展现功能与形态的多样性。其中某些系统会非常小,还有一些系统已经扩展到我们今天使用的SoC系统的大小。问题是,我们将如何提供物联系统的组件,使之既高速又满足在待机状态下的低耗电?

格芯22FDX®技术提供了卓越的系统和成本解决方案。22纳米全耗尽SOI(FD-SOI)的决定性新功能是来自于薄硅层。传统SOI技术中晶体管形成于独立井上,而在数字电路中则通常处于不稳定的浮动状态。FD-SOI晶体管更薄,无需任何井层。此外,设备独立更加容易,极大简化了离子植入过程。

当思索有关下一技术节点时,工程师应意识到22FDX® 流程提供与FinFET类似的性能,超低的功耗,以及与20纳米平面技术相当的成本。以下是本技术的一些值得关注的要点:

  • 比起28纳米高k系数金属门极(HKMG)减少70%功耗
  • 比28纳米传统平面设备小20%的裸晶尺寸
  • 比FinFET更低的裸晶成本

创意设计者的沙盒

软件控制的体偏置提供了高性能-低功耗之间的灵活权衡控制,为使用22FDX®设计的电路和体统提供了自由度。实时功耗可在设备层面调整 — 大多由为主要功能模块供电实现。这就是行业分析师Dan G. Hutcheson相信格芯的22FDX® 将会带来主流变革的原因。

22FDX: Enabler for IoT?

22FDX®:同一晶片上多重体偏置与阈值电压设定

此外,22FDX®提供了前所未有的创新能力,设计的灵活性,以及智能的控制。此些能力包括:

  • 硅成形后调整能力,维持高性能并降低功耗
  • 集成射频包括调整“旋钮”,降低射频功耗高达50%,去除了设置额外独立射频芯片的必要性

22FDX®技术设计生态正在快速建立。在11月,各大主流EDA供应商,特别是Synopsys、Cadence和Mentor Graphics宣布他们将推出专用于22FDX®的设计工具套装。从而成为设计生态中的重要部分,并支持客户走向成功。

Design Migration to 22FDX™ from Bulk Node

从传统节点到22FDX®的设计技术迁移

 

22FDX®是未来更加优秀的突破性技术,通过裸晶尺寸减小、功耗降低、性能上升、功能增多、制造工序简化延续了摩尔定律。

格芯CMOS平台业务部总经理兼公司副总裁Subramani Kengeri将在2016年1月21日于日本东京FD-SOI论坛上展示“利用22FDX®实现下一代革新”。

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